IGBT非常适用于DC电压600伏及以上的变频系统，如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。IGBT(绝缘栅双极晶体管)，绝缘栅双极晶体管，是由BJT(双极晶体管)和金属氧化物半导体(绝缘栅场效应晶体管)组成的复合全控电压驱动功率半导体器件，具有金属氧化物半导体场效应晶体管的高输入阻抗和GTR的低导通压降的优点。GTR饱和电压降低，载流密度高，但驱动电流大；MOSFET驱动功率小，开关速度快，但导通压降大，载流密度低。IGBT结合了上述两种器件的优点，具有低驱动功率和低饱和电压。一种N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构，N+区称为源区，与之相连的电极称为源极。n+区域称为漏极区域。器件的控制区是栅极区，与之相连的电极称为栅极。靠近栅极区域的边界形成沟道。漏极和源极之间的p型区域(包括p和p-1区域)(在此形成沟道)称为子沟道区域。漏极区另一侧的P区称为漏极注入器，这是IGBT的一个独特功能区。它与漏极区和子沟道区一起形成PNP双极晶体管，起到发射极的作用，向漏极注入空穴，并进行导电调制以降低器件的导通电压。连接到漏极注入区的电极称为漏极。IGBT的开关功能是通过施加正向栅极电压来形成沟道，从而为PNP晶体管提供基极电流并导通IGBT。相反，施加反向栅极电压以消除沟道，切断基极电流并关闭IGBT。IGBT的驱动方法与场效应管基本相同，只需控制输入的N沟道场效应管，因此具有高输入阻抗特性。在形成场效应晶体管的沟道之后，从P+基极注入N层中的空穴(少数载流子)，并且对N层进行电导调制以降低N层的电阻，使得IGBT在高电压下也具有低的导通状态电压。